Entries from 2013-05-22 to 1 day

サブスレッショルド領域の電流式とS値

MOSFETのサブスレッショルド領域の電流は拡散電流で,式に表すとかなり長い.S値は以下の式で求められる.小さいほどスイッチング性能が良い.SOIではチャネル周辺には空乏層ができないと近似できるので,と見なせて,となる.これが理論的な限界値となる. …

パワーディバイダ

高周波の信号を,2つの経路に振幅1/2,電力1/4として分けるもの.測定器は50Ωでマッチングされているので,損失が出ないように50/3≒16.7Ωの抵抗が三つ又に分かれている部品.マッチング的には入力部の抵抗を0,あとの2つを50Ωにしてもいいが,入力端子が決ま…

MOSダイオードの反転状態での容量

ゲート電圧dV変化した時にdQたまるとするときの微分容量を見ている.横軸のVは交流信号の振幅を表している.低周波だとVの変化に追従して反転層ができる. 高周波だとVの変化に追従できずに空乏層幅が動くようにしか見えない.MOSFETだとソース,ドレインの…