2013-05-22 MOSダイオードの反転状態での容量 半導体 ゲート電圧dV変化した時にdQたまるとするときの微分容量を見ている.横軸のVは交流信号の振幅を表している.低周波だとVの変化に追従して反転層ができる. 高周波だとVの変化に追従できずに空乏層幅が動くようにしか見えない.MOSFETだとソース,ドレインの拡散層に動ける電子がたくさんいるので,高周波に対しても追従して反転層を形成出来る.