サブスレッショルド領域の電流式とS値
MOSFETのサブスレッショルド領域の電流は拡散電流で,式に表すとかなり長い.
S値は以下の式で求められる.小さいほどスイッチング性能が良い.
SOIではチャネル周辺には空乏層ができないと近似できるので,と見なせて,となる.これが理論的な限界値となる.
参考
http://www.mns.kyutech.ac.jp/~nakao-m/20110627.pdf
http://www.ssc.pe.titech.ac.jp/demo/lectures/vlsitech/090420_VLSI_2.pdf
(130603追記)
「拡散だから」電流がVgsに対して指数的に増えるのではなく,ソース及びドレインのキャリア密度により指数的に増えるといえる.
拡散というのはただ電流が流れる理由でしかない.
expがそのまま残るという意味で少しは関係してるとも言えるが.