テスト勉強で学んだこと． MOSダイオードの反転層 MOSダイオードの反転状態では，半導体表面のバンド的に伝導帯のすぐ下にフェルミレベルがあり，p形であればn形に見える． トラップとは 電子とホールが再結合するときは，まず高いエネルギーを持った電子or…

MOSFETのサブスレッショルド領域の電流は拡散電流で，式に表すとかなり長い．S値は以下の式で求められる．小さいほどスイッチング性能が良い．SOIではチャネル周辺には空乏層ができないと近似できるので，と見なせて，となる．これが理論的な限界値となる． …

高周波の信号を，2つの経路に振幅1/2，電力1/4として分けるもの．測定器は50Ωでマッチングされているので，損失が出ないように50/3≒16.7Ωの抵抗が三つ又に分かれている部品．マッチング的には入力部の抵抗を0，あとの2つを50Ωにしてもいいが，入力端子が決ま…

ゲート電圧dV変化した時にdQたまるとするときの微分容量を見ている．横軸のVは交流信号の振幅を表している．低周波だとVの変化に追従して反転層ができる． 高周波だとVの変化に追従できずに空乏層幅が動くようにしか見えない．MOSFETだとソース，ドレインの…

バンド図の成り立ちを大学院の講義で聞いてなるほどと思ったのでメモ．まず，Siに限らず原子単体において，原子核の周りを動く電子はあらゆるエネルギー帯を取り得る．しかし，その原子が集まって結晶となると，結晶中の原子核の相互作用等により，電子が持…