MOSダイオードの反転状態での容量

ゲート電圧dV変化した時にdQたまるとするときの微分容量を見ている．

横軸のVは交流信号の振幅を表している．

低周波だとVの変化に追従して反転層ができる．
高周波だとVの変化に追従できずに空乏層幅が動くようにしか見えない．

MOSFETだとソース，ドレインの拡散層に動ける電子がたくさんいるので，高周波に対しても追従して反転層を形成出来る．